Technik der Speicherkarten
Bis auf die IBM MicroDrive werden die betrachteten Speicherkarten in der Flash-Technologie realisiert. Die genauere Bezeichnung dieser Technologie ist das Flash-EEPROM. Bei dem Flash-EEPROM lassen sich im Gegensatz zu dem Flash-Speicher die Bytes nicht einzeln löschen. Flash-Speicher finden wir dort wieder, wo Daten nichtflüchtig gespeichert werden. Dieses bedeutet, dass auf kleinsten Raum gespeicherte Informationen auch im Stromfreien zustand gespeichert werden.
Die NAND-Flash und NOR-Flash sind die zurzeit am Markt auffindbaren Architekturen. Diese unterscheiden sich in ihrer internen Ansteuerungslogik. Die Lebensdauer von Flash-Speicher ist auf eine maximale Anzahl von Lösch-Zyklen begrenzt. Beim NAND-Flash beträgt diese bis zu 1 Million Zyklen und beim NOR-Flash beträgt er zwischen 10-100.000 Zyklen. Dies entspricht auch der Anzahl der Schreib-Zyklen, da man vor dem Widerbeschreiben den Speicher blockweise löschen muss.
NAND-Flash-Speicher erreichen inzwischen ca. 8 GBit (entsprechend 1 Gigabyte), NOR-Flash-Speicher 512 MBit (entsprechend 64 Megabyte). Der Unterschied rührt vor allem daher, dass bei NAND-Flash-Speicher die Daten- und Adress-Leitungen auf denselben Anschlüssen (Pins) ausgeführt werden, d. h. derselbe Anschluss abwechselnd für Daten- und Adressübermittlung genutzt wird ('Multiplex'), während bei den NOR-Flash-Speichern diese getrennt sind. Dadurch sind NOR-Typen wesentlich schneller bei den Datenzugriffen, haben aber bedeutend mehr Pins und bedürfen damit prinzipiell grö฿erer Gehäuse.
Vorteile der Flash-Technologie
- Datenerhaltung bei Spannungsfreien zustand
- Günstig in der Anschaffung
- Benötigt geringen Energiebedarf
- Hohe Widerstandskraft gegen Erschütterungen
Nachteile der Flash-Technologie
- Anzahl von Schreibzyklen, Unzuverlässigkeit bei Annäherung des Grenzbereiches
- Teilweise nur ganze Sektoren Löschbar
- Umständliche Ansteuerung bim Schreiben und Löschen
- Beim Schreiben langsamer als RAM
